博世創(chuàng)投投資基本半導體 加碼SiC賽道

　　3月9日，博世旗下博世創(chuàng)投宣布完成對基本半導體的投資?；景雽w是一家位于深圳的碳化硅功率器件提供商，博世此舉旨在進一步豐富在第三代半導體領域的布局。

　　當前，隨著新能源汽車的快速發(fā)展，推動以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）等為代表的第三代半導體也隨之迎來爆發(fā)風口。因為相較于砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP)等第二代半導體，第三代半導體具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，可以更好地滿足新能源汽車的發(fā)展需求。特別是碳化硅，作為制造MOSFET、IGBT、SBD等高耐壓、大功率電力電子器件的主要材料，正廣泛用于新能源汽車領域。

　　據(jù)相關預測數(shù)據(jù)顯示，到2025年，新能源汽車與充電樁領域的碳化硅市場將達到17.78億美元，約占碳化硅總市場規(guī)模的七成。言外之意即，新能源汽車行業(yè)將是碳化硅市場最大的驅(qū)動力。

　　正因為如此，當前很多企業(yè)都在積極布局碳化硅領域。其中博世早在2019年就開始試水碳化硅芯片研發(fā)。2020年北京車展，博世碳化硅功率器件首次在全球?qū)ν饬料啵摦a(chǎn)品可助力電動汽車和混合動力汽車增加約6%的續(xù)航里程，極大地降低能源消耗。

　　在博世看來，碳化硅一定是未來的大方向，因為與傳統(tǒng)硅基材料產(chǎn)品相比，碳化硅功率器件在實現(xiàn)更高開關頻率的同時，可保持較低能量損耗和較小芯片面積，節(jié)能效果更好。為此，近兩年博世一直在不斷加大相關技術領域的投入，并已開始在位于德國的兩家芯片工廠里生產(chǎn)碳化硅芯片，用于取代IGBT。

　　此次投資基本半導體，無疑是博世強化碳化硅布局又一重要舉措。作為中國第三代半導體行業(yè)的重要參與者之一，基本半導體主要致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，涵蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅(qū)動應用等產(chǎn)業(yè)全鏈條，并先后推出了全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級可靠性測試的1200V碳化硅MOSFET、車規(guī)級全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品。

　　其中車規(guī)級全碳化硅功率模塊是專門針對新能源汽車電機控制器開發(fā)，搭載了8顆碳化硅MOSFET芯片，具有高功率密度、高可靠性、低模塊內(nèi)部寄生電感、低熱阻等性能優(yōu)勢，該產(chǎn)品將于2021年實現(xiàn)量產(chǎn)。

　　伴隨著產(chǎn)品方面取得的重大突破，今年2月，基本半導體還在日本名古屋正式注冊成立了基本半導體株式會社，以利用日本在半導體、汽車等產(chǎn)業(yè)的人才和技術優(yōu)勢，加快推動車規(guī)級碳化硅功率模塊產(chǎn)品的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，同時發(fā)力全球化布局。